3C-SiC薄膜反向外延生长工艺的研究

来源 :光散射学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：my561

【摘要】

：

本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术,以甲烷CH4作为反应碳气体源,氢气H2作为稀释气体,将两者混合后,在n型Si(111)衬底上反向外延生长n型3C-SiC薄膜.采用X射线衍射(XRD)、拉

【作者】

：

罗杰斯王磊杨治美龚敏

【机构】

：

四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室

【出处】

：

光散射学报

【发表日期】

：

2015年2期

【关键词】

：

cubic silicon carbine low pressure chemical vapor deposition silicon substrate r

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本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术,以甲烷CH4作为反应碳气体源,氢气H2作为稀释气体,将两者混合后,在n型Si(111)衬底上反向外延生长n型3C-SiC薄膜.采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(RAM)及扫描电子显微镜(SEM)对生长的3C-SiC薄膜进行测试和分析.对比在相同的反应温度下,不同的热处理方式对生长的3C-SiC薄膜质量的影响,进一步探讨SiC薄膜反向外延生长工艺的改进方法.结果表明,较慢的降温速率能够生长出质量较高的3C-SiC薄膜.

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