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本文描述双极场引晶体管（BiFET）飘移扩散理论，包括薄纯基上两个等同金属氧化物硅（MOS）栅,把两维晶体管分解成两个一维问题，以表面势为参变量，得到解析方程，提供实用硅基和氧化层厚度范围内，随直流电压变化，输出和转移电流和电导总量和飘移扩散分量。显著部分的飘移电流来自横向电场平方的纵向梯度。
双极场引晶体管：Ⅱ．飘移扩散理论（双MOS栅纯基）
【摘 要】
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本文描述双极场引晶体管（BiFET）飘移扩散理论，包括薄纯基上两个等同金属氧化物硅（MOS）栅,把两维晶体管分解成两个一维问题，以表面势为参变量，得到解析方程，提供实用硅基和氧化层厚度
【机 构】
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中国科学院外籍院士,佛罗里达大学,北京大学
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2007年12期
【基金项目】
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该研究及揭斌斌由CTSAH Associates（CTSA）资助,CTSA由已故的薩夫人张淑南创建.薩支唐写成此摘要基于揭斌斌的现代语初稿,感谢潘胜和北京大学原物理系教师赵立群和潘桂明的修改建议.
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