【摘 要】
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本文提出了一种新颖的CMOS低噪声放大器电路。该电路采用正反馈技术以提高电路的增益，并且将MOS晶体管偏置在反型区以取得超低的功耗。本文所设计的电路非常适合在低电压低功
【机 构】
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中国空空导弹研究院,洛阳,471009
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本文提出了一种新颖的CMOS低噪声放大器电路。该电路采用正反馈技术以提高电路的增益，并且将MOS晶体管偏置在反型区以取得超低的功耗。本文所设计的电路非常适合在低电压低功耗状态下工作。基于TSMC 0.13μm CMOS工艺，采用该电路结构设计实现了一款5.8 GHz的CMOS低噪声放大器。仿真结果表明：该电路在仅消耗0.9 mW的前提下，取得了14.6 dB的较高增益，噪声系数仅为1.5 dB，并且该电路的输入三阶交调点高达8.5 dBm。
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