【摘 要】
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基于60Coγ射线辐照源,针对有/无Kovar合金金属帽的横向PNP晶体管(LPNP),探究预加温处理对双极晶体管电离辐射损伤的影响.通过半导体参数测试仪对辐照前后LPNP晶体管电性能参
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号:61404038)资助的课题.
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基于60Coγ射线辐照源,针对有/无Kovar合金金属帽的横向PNP晶体管(LPNP),探究预加温处理对双极晶体管电离辐射损伤的影响.通过半导体参数测试仪对辐照前后LPNP晶体管电性能参数进行测试.利用深能级瞬态谱分析仪(DLTS),对辐照前后LPNP晶体管电离缺陷进行表征.研究结果表明,未开帽处理的晶体管过剩基极电流(△IB)增加更明显,理想因子n随发射结电压(VEB)的增加逐渐降低,转换电压(Vtr)明显向低发射结电压方向移动.分析认为这是由于基区表面辐射诱导界面态复合率发生变化,界面态数量增多导致n
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