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采用氧化硅制造晶体管栅介质已有40余年，随着氧化硅被加工得越来越薄，晶体管性能也稳步提高。然而，从90hm到65nm，再到45nm，氧化硅栅介质厚度的缩小也使栅介质的漏电量越来越高，导致了高能耗和不必要的发热。晶体管栅漏电与不断变薄的氧化硅栅介质有关，这一点已成为过去10年来摩尔定律面临的最大技术挑战之一。