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采用ASMC0．35μm CMOS工艺设计了低功耗、高电源抑制比（PSRR）、低温漂、输出1V的带隙基准源电路。该设计中，偏置电压采用级联自偏置结构，运放的输出作为驱动的同时也作为自身电流源的驱动，实现了与绝对温度成正比（PTAT）温度补偿。通过对其进行仿真验证，当温度在-40～125℃和电源电压在1．6～5V时，输出基准电压具有3．68×10^-6/℃的温度系数，V嘣摆动小于0．094mV；在低频时具有-114．6dB的PSRR，其中在1kHz时为-109．3dB，在10kHZ时为-90．72