【摘 要】
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在室温条件下,用封闭式电子回旋共振(MCECR)等离子体溅射方法沉积了SrTiO3(STO)膜.用Ar等离子体在Si基片上溅射的STO膜是非晶的,然而用Ar/O2等离子体在Pt/Ti/SiO2/Si上溅射的
【机 构】
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西安工业学院,西安交通大学,日本国大阪大学
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在室温条件下,用封闭式电子回旋共振(MCECR)等离子体溅射方法沉积了SrTiO3(STO)膜.用Ar等离子体在Si基片上溅射的STO膜是非晶的,然而用Ar/O2等离子体在Pt/Ti/SiO2/Si上溅射的是充分结晶的STO膜.为了使非晶薄膜结晶,用电炉加热或28GHz微波辐射对非晶STO膜进行退火处理.采用微波辐射,使基片温度为573K时,在Si上的STO膜退火后的介电常数大约为260,这值近似等于块状STO材料的介电常数.由于微波辐射能够降低薄膜的退火温度和提高薄膜的电特性,因而被认为是非常有用的.
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