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本文对VHSI和VLSI所必需的微细多层布线技术进行了研究。选取聚酰亚胺作为层间介质膜,开发出能形成3μm良好通孔的等离子腐蚀和湿腐蚀法,采用原位物理清除技术从根本上克服了接触电阻的难题。在3μm3层布线场合,R_c≤0.1Ω/孔,布线通孔成品率高于99.99％。本项技术业已实际应用,效果满意。