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尽管可以通过对主要结构和工艺参数的优化找到缓解自加热效应的途径，但这种改变硅膜厚度和埋氧层厚度的办法在工艺上是较难实现的，因而解决SOICMOS器件中浮体效应和自加热效应要寻找其它新的方法，在沟道下方的隐埋氧化层中开一个窗口形成DSOI结构，空穴可以通过沟道区与衬底的电耦合传递出去，同时器件内部产生的热量也可以很容易通过沟道下方的硅通道泄散出去。本文重点研究埋氧开口尺寸大小对器件性能的影响，并得出了相关的结论。