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详细分析了MOCVDAlGaInPLED外延片中Ⅴ族源的空流保护作用、Ⅲ族源的存储效应以及Mg掺杂的延迟和记忆效应。设计出了合理实用的源气开关程序，它有利于生长无宽带隙夹层、突变异质结界面的AlGaInPLED外延片。
MOCVD AlGaInP LED 外延片源气开关程序的研究
【摘 要】
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详细分析了MOCVDAlGaInPLED外延片中Ⅴ族源的空流保护作用、Ⅲ族源的存储效应以及Mg掺杂的延迟和记忆效应。设计出了合理实用的源气开关程序，它有利于生长无宽带隙夹层、突变
【机 构】
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华南理工大学应用物理系,南师范大学MOCVD实验室
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2004年期
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