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设计了点接触平面栅型硅单电子晶体管，利用自对准技术实现了点接触平面栅，并通过给平面施加偏压实现了量子点。讨论了点接触平面栅型单电子晶体管与其通道宽度和平面栅上电压的关系。对一个具有70nm宽通道的器件，先在其表面栅上施加很小的正偏压，然后又在其平面栅上施加负偏压耗尽通道，最终的研究结果显示在通道中形成了单个量子点。