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采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺在Ts＝440℃条件下制备组份Bi/Ti=1.44的非晶态薄膜，经过快速退火处理，制备择优取向的Bi4Ti3O12铁电薄膜（称BTO薄膜），较好的退火温度为630℃、时间为60s；快速退火对薄膜组分的影响不大。
快速退火工艺对BTO薄膜结构的影响
【摘 要】
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采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺在Ts＝440℃条件下制备组份Bi/Ti=1.44的非晶态薄膜，经过快速退火处理，制备择优取向的Bi4Ti3O12铁电薄膜（称BTO薄膜），较好的退火温度为630℃、时
【机 构】
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海军航空工程学院264001
【出 处】
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新技术新工艺
【发表日期】
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2002年11期
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