【摘 要】
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设计和制造了一种高频大功率N沟MOS场效应晶体管,它适合用作甚高频(VHF)电视发射机的音频功率放大器。获得了130伏那样高的漏-源电压,在栅-源电压为20伏、漏电流为3A时其导通
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设计和制造了一种高频大功率N沟MOS场效应晶体管,它适合用作甚高频(VHF)电视发射机的音频功率放大器。获得了130伏那样高的漏-源电压,在栅-源电压为20伏、漏电流为3A时其导通电阻为0.3Ω。为满足甚高频的工作频率,MOS场效应晶体管漏-源间反馈电容设计为0.8pF。这种MOS场效应晶体管在250MHz满意地工作,功率增益为7dB。
A high-frequency, high-power N-channel MOS field-effect transistor has been designed and fabricated for use as an audio power amplifier for VHF television transmitters. A drain-source voltage as high as 130 volts was achieved with a 0.3Ω on-resistance at a gate-source voltage of 20 V and a drain current of 3A. To meet the very high frequency of the operating frequency, MOS FET drain-source feedback capacitor is designed to 0.8pF. This MOS field-effect transistor works satisfactorily at 250MHz with a power gain of 7dB.
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