【摘 要】
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半导体纳米粒子在外加电场作用下能够产生极化电场,且无极化疲劳现象,可以有效改善液晶电-光性能.文中选用Cu2O半导体纳米粒子对近晶相液晶4-氰基-4-正苄基联苯（8CB）进行掺杂,
【机 构】
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北京航空航天大学化学与环境学院,北京京东方显示技术有限公司产品技术部
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半导体纳米粒子在外加电场作用下能够产生极化电场,且无极化疲劳现象,可以有效改善液晶电-光性能.文中选用Cu2O半导体纳米粒子对近晶相液晶4-氰基-4-正苄基联苯（8CB）进行掺杂,研究其对液晶电-光性能的影响.研究发现,Cu2O纳米粒子表面的正电荷能够增强其与液晶分子间的偶极作用,产生的局域电场加速了液晶分子的转动,降低了阈值电压,极大地改善了近晶相液晶的电-光性能.
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