三缺位杂多阴离子н—A—PW9O34^9—的甲基硅衍生物(TBA)3[α—A—PW9O34(CH3SiO)3(CH3Si)]的合成和晶体结构

来源 :无机化学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiangqiuli8609
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杂多化合物SiW11O39^8-的有机硅衍生物早在1978年就由Knoth报道^[1],后来又有人报道了α-PW11O39^7-和α-PW9Mo2O39^7-的有机硅衍生物^[2,3]。该类衍生物在抗HIV-1方面有重要的用途^[4,5],因而,近年来引起了人们极大的重视。1996年Thouvenot及其合作者研究了三缺位杂多阴离子与有机硅的反应,并在相转移条件下合成了一些杂多阴离子的有机硅衍生物^[6-9],但到目前为止,有关杂多化合物的有机硅衍生物报道还很少,该类化合物的晶体结构报道更少。本文报道了化
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