具有非稳谐振腔的脉冲多元半导体激光器

来源 :激光与光电子学进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Mr__x007
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
用电子束泵浦的半导体激光器通常有宽的(10°~15°)方向性图。在激活区直径为300~500 μm的激光器中,使用外反射镜可将辐射的方向性图压缩到衍射极限,并在谐振腔中形成基横模振荡。
其他文献
A method of measuring thermal diffusivity of materials at room temperature by photothermal reflection technique is described. An intensity-modulated Ar laser beam is used as incident light. The beam is focused to about 1 mm diameter spot and illuminates
In this work, we study how an epitaxial laser-like (or superluminescent diode-like) structure is modified by intentional changes of the substrate misorientation in the range of 0.5°–2.6°. The
期刊
研究分析Si?PvCA物理结构、光电特性与其电路拓扑结构等关键因素,并在此基础上提出了利用LED阵列照明空间光分布和电池板可细分重构特征,改善信噪比,实现空分多址(Space Division Multiple Access, SDMA)多输入多输出并发VLC,为LED阵列照明与Si?PvCA的VLC应用发展提供了新的研究思路和框架。
偏振模色散(PMD)的自适应补偿已经得到了比较深入的研究。在实验中采用偏振度作为取样反馈信号, 粒子群优化算法(PSO)作为反馈控制算法, 比较了偏振模色散自适应补偿系统对于不同码型的补偿效果。结果表明, 传输信号质量严重恶化的情况下, 补偿之后, 对于不同的传输码型, 接收信号的误码率都可以达到一般光纤通信系统的基本要求(10-9), 说明了PMD自适应补偿系统对于各种调制码型都具有良好的补偿效果, 还可以看出, NRZ码相对于其他码型有较高的功率代价, 而RZ50码型在补偿系统中的接收性能最佳。
针对NTN技术的脉冲波形参数国家基准已无法完全满足目前超高速电脉冲波形测量和校准的现状,构建了基于电光采样技术的脉冲波形参数测量系统,自主设计并制备了钽酸锂基共面波导结构的高频电光调制器,通过网络分析系统测量得到了其3 dB频率响应可达100 GHz。以高速光电探测器输出的电脉冲波形作为待测信号,对系统参数进行了详细的分析和优化。在优化完善的基础上,最终实现了对70 GHz高速光电探测器输出电脉冲波形的精密测量,获得的波形的上升时间和半峰全宽分别为4.6 ps和5.0 ps,这将为我国基于电光采样技术脉冲
The photoelectric properties of In0.3Ga0.7As solar cells applied in laser wireless power transmission (LWPT) were studied when they were irradiated by 1070 nm continuous wave (CW) laser of various intensities. The influences of laser
Ali Javan在1974年6月参观访问了苏联的激光机构。下面是他回国后答记者问的摘要。
期刊
期刊
对GaN器件制备过程中AlN缓冲层相关的电活性缺陷进行了C-V和深能级瞬态谱(DLTS)研究。C-V研究结果表明, 制备态Ni-Au/AlN/Si MIS器件中, 靠近AlN/Si界面处的掺杂浓度为4.4×1017cm-3, 明显高于Si衬底的1.4×1016cm-3, 意味着制备态样品中Al原子已经向衬底硅中扩散。采用退火工艺研究了GaN器件制备过程中的热影响以及热处理前后电活性缺陷在硅衬底中的演变情况, 发现退火处理后, Al原子进一步向衬底硅中更深处扩散, 扩散深度由制备态的500nm左右深入到1μ