DLTS相关论文
缺陷工程对半导体光伏器件至关重要,全面深入地理解缺陷形机理并合理调控缺陷有利于实现高效的太阳能源转化。准一维（Q1D）结构的锑基......
研究了深能级瞬态谱（DLTS）测量HfO2/SrTiO3（STO）场效应晶体管中缺陷的方法。该场效应晶体管的沟道为Ar+轰击SrTiO3表面形成的导电层,导......
期刊
本文通过对掺 Au、掺 Pt、电子辐照、γ射线辐照实验样片的 DLTS 测量、分析,确定它们在 N 型硅片中产生的有效复合中心能级分别为......
碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料,有着宽禁带宽度、高击穿电场、高热导率等特点,是发展大功率、高频高温以及抗强辐射等技术......
对GaN器件制备过程中AlN缓冲层相关的电活性缺陷进行了C-V和深能级瞬态谱(DLTS)研究。C-V研究结果表明, 制备态Ni-Au/AlN/Si MIS器......
以SiH4和H2作为气源, 采用热丝化学气相沉积法制备a-Si∶H薄膜钝化c-Si表面, 采用准稳态光电导法和I-V法分析了工艺参数对钝化效果......
该文研究了GeSi双层量子点的耦合效应,从理论和实验上对用分子束外延(MBE)自组织方式生长的Si基Ge双层量子点的深能级瞬态谱(DLTS)......
首次应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了γ射线辐照Gap红色发光二级管深能和亮度的影响.结果表明,γ射线辐照射后,Gap红色发光二级......
本文介绍的正电子深能级瞬态谱（PDLTS）技术是结合了对固体缺陷有很高灵敏度的正电子湮没谱（PAS）和一些深能级瞬态谱（DLTS）技术而成新的实......
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了GaAs0.55P0.45红色发光二极管深能级.结果表明,有B陷阱的GaAS0.55P0.45红色发光二极管亮度比有......
应用深能级瞬态谱（DLTS）技术，首次研究了GaAs0.55P0．45红色发光二极管少子陷阱。结果表明，GaAs0.55P0．45红色发光二极管有一个少子陷阱；并......
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,对不同热处理条件下的单晶硅腐蚀片及抛光片进行了Fe玷污分析,系统研究了热处理前预清洗工艺和热处理......
采用深能级瞬态谱技术（ＤＬＴＳ），测试了等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）法低温制备的富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜的电学特性（界面态密度、俘获截面随禁带中能量的......
提出一种寿命控制新技术氢离子辐照缺陷汲取铂局域寿命控制技术．所有样管首先进行能量为550keV，剂量为1×10^13～5×10^14cm。......
目的研究1200 V碳化硅二极管重离子辐照诱生缺陷对漏电流退化的影响。方法以SiC结势垒肖特基二极管(Junction Barrier Schottky Di......
作为一种硅基太阳能电池的新型基底材料,铸造类单晶硅具有铸造多晶硅的低生产成本和直拉单晶硅高质量的双重优势。然而,铸造类单晶......
InGaAs是短波红外成像的理想材料,由于其低暗电流、高探测率、高工作温度、良好的抗辐照等特性已显示出了巨大的应用价值。随着航......
伴随着网络和远程教育的发展，教学资源的共享和教学系统的互操作成为了一个十分重要也十分迫切的问题。在教育部的领导下，我国开始了......
