【摘 要】
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pointSOI技术和应变硅技术的广泛应用和融合大大提升了新型应变硅器件的发展,通过对新型应变器件结构及物理模型的深入分析和研究,有效改善了传统MOSFET器件因结构尺寸小的限
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pointSOI技术和应变硅技术的广泛应用和融合大大提升了新型应变硅器件的发展,通过对新型应变器件结构及物理模型的深入分析和研究,有效改善了传统MOSFET器件因结构尺寸小的限制。同时,沟道掺杂工程在晶体器件中的广泛引入,使得新型应变SOIMOSFET器件得到了飞速的发展,在未来的社会发展中有着广泛的应用前景。
The wide application and integration of pointSOI technology and strained silicon technology have greatly promoted the development of new strained silicon devices. By analyzing and studying the structure and physical model of new strained devices, the limitations of the traditional MOSFET devices due to their small size have been effectively improved. At the same time, the wide introduction of trench doping engineering into crystal devices has led to the rapid development of new strained SOIMOSFET devices and has a wide range of applications in the future social development.
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