【摘 要】
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文章回顾了a-Si:H薄膜的发展历程,并介绍了其近10年的研究状况.为提高a-Si:H薄膜的沉积速度,还重点介绍了一种新的微波电子回旋共振等离子体CVD(MWECR-CVD)技术.该技术的特点
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文章回顾了a-Si:H薄膜的发展历程,并介绍了其近10年的研究状况.为提高a-Si:H薄膜的沉积速度,还重点介绍了一种新的微波电子回旋共振等离子体CVD(MWECR-CVD)技术.该技术的特点是:不含电极,可避免电极溅射造成的污染;等离子区离子密度高,对硅烷能高度分解,从而可显著提高薄膜生长速率;改变磁场位形和结构,可改变等离子体分布及轰击基片离子的能量.文章还分析了其制备a-Si:H薄膜存在的问题,提出了今后的研究方向.
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