氢化非晶硅薄膜相关论文
采用分光椭偏（SE）测试技术研究晶体硅（c-Si）异质结太阳电池用氢化非晶硅（a-Si:H）薄膜钝化层的性能。采用有效媒介理论为基础进行分层多相......
采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺,制备了P-C二元复合掺杂氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了C元素对N型a-Si∶H薄膜暗电导率(......
衬底温度对非晶硅薄膜的生长以及异质结电池中晶体硅表面钝化起到至关重要的作用。实验中采用等离子体增强化学气相沉积技术，在......
本文采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制得氮化硅和氢化非晶硅薄膜，对PECVD设备中基板支撑梢区域的膜质进行了研究。结果......
氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜在薄膜太阳能电池、薄膜晶体管、辐射探测和液晶显示等领域有着重要的应用,因而在世界范围内得到了广泛的......
HIT太阳电池以高效率,低成本和快速制备工艺引起国内外的广泛关注。目前HIT太阳电池的领跑者日本三洋公司己将实用尺寸双面的HIT太......
氢化非晶硅薄膜(a-Si:H)是近二十年来发展起来的一种新型的功能材料,在新能源和信息显示等高科技技术领域起着日益重要的作用,尤其......
氢化非晶硅薄膜(a-Si：H)已经被广泛应用于太阳能电池、薄膜晶体管(TFT)、大面积显示技术等半导体器件领域。但在光照条件下发现材料......
氢化非晶硅薄膜(a-Si：H)以其优异的光电特性，在薄膜太阳能电池、薄膜晶体管、大面积平面显示器以及光传感器等技术领域中起着日益重......
硅基薄膜材料作为一种极具潜力的光电能量转化材料,由于其能耗低、可使用廉价衬底,并易大面积沉积等优势而备受人们关注,也使其在......
学位
效率低、成本高是太阳能电池发展的瓶颈，薄膜太阳电池在降低成本方面比晶体太阳电池具有更大的优势：一是薄膜化可极大地节省昂贵的半......
硅异质结太阳电池(HIT)因兼具晶硅电池的高效率、高稳定性和硅基薄膜太阳电池的低温工艺、低成本而受到国际光伏领域的广泛关注。......
随着光伏器件制造及应用技术的不断发展，对太阳电池的转换效率、生产成本、应用环境等方面提出了更高的要求。带有本征薄层的异质结......
氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜是一种重要的光电功能材料。它具有光吸收率高、电阻温度系数大、可大面积低温成膜、易掺杂、基片种类不限......
Fourier红外透射 (FTIR)谱技术是研究氢化非晶硅 (a Si∶H)薄膜中氢的含量 (CH)及硅—氢键合模式 (Si Hn)最有效的手段 .对用等离......
The effects of different substrates on the structure and hydrogen evolution from a-Si: H thin films deposited by plasma ......
通过红外透射光谱研究了在光诱导退火中退火条件对氢化非晶硅薄膜的结构和光电特性的影响,实验所用样品采用热丝辅助微波电子回旋......
文章回顾了a-Si:H薄膜的发展历程,并介绍了其近10年的研究状况.为提高a-Si:H薄膜的沉积速度,还重点介绍了一种新的微波电子回旋共......
为了降低a—Si：H薄膜中的氢含量，提高其稳定性，在我们MWECR—CVD系统中引入了热丝装置，热丝对等离子体的热辐射使等离子体升温，既促进了......
通过对热丝辅助微波电子回旋共振(HW-MW-ECRCVD)法制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行暗电导与温度关系的测试,可得到暗电导激活能(......
本文报道对氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜在600～620℃温度下快速退火10s可以形成纳米晶硅(nc-Si),其Raman散射表明,在所形成的nc- Si在薄......
以聚酰亚胺膜作为柔性衬底材料，用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备氢化非晶硅薄膜。喇曼（Raman）光谱分析表明适当温度下的退火......
针对多角度椭偏测量透明基片上薄膜厚度和光学参数时基片背面非相干反射光的影响问题,报道了利用椭偏透射谱测量等离子增强化学气......
研究了ａ－ＳｉＮ：Ｈ的退火行为及其作为栅介质使用时，退火对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ工作特性和可靠性的影响，实验事实表明，在３８０℃以下的退火处理ａ－ＳｉＮ：Ｈ介电常数的变化呈单调上升趋......
采用等离子体增强化学气相沉积技术,通过改变射频功率与沉积气压两个参数来沉积非晶硅薄膜材料,并研究了变化参数对薄膜沉积速率、......
采用间接型射频等离子体增强化学气相沉积方法,通过改变H_2/SiH_4气流量比、工艺功率和工艺压强,制备出了氢化非晶硅薄膜。研究了H......
介绍了一种新型的MWECR-CVD装置．该装置设计采用了一种由单个电磁线圈和永磁体单元组合的新型磁场，设计了一种新型的矩形耦合波导．应......
通过紫外-可见透射谱技术，计算得到薄膜各个位置的拟合厚度值，研究了a-Si：H薄膜的厚度均匀性；通过对紫外-可见透射谱的分析和对红外吸......
氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)中SiyHx结构组态对薄膜应用性能有重要影响,然而现有的分析测试手段难以对其进行深入细致的研究.本文运用......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
采用射频等离子增强化学气相沉积（RF-PECVD）方法,以氢稀释的硅烷（SiH4）为反应气体,磷烷（PH3）为掺杂气体,制备了n型氢化非晶硅（a-Si：H）薄膜。......
本文以高速制备兼具优异光电特性和高稳定性的氢化非晶硅薄膜为主要研究内容,从设备改进和性能分析、薄膜制备工艺两方面展开自己......
硅基F-P热光可调谐滤波器具有成本低，容易集成的优势，在光学精密测量和波长转换领域有广阔的应用前景，但做为滤波器介质层的核心材料，a......
氢化非晶硅（a-Si：H）薄膜具有光吸收率较高、电阻温度系数较大、与Si半导体IC工艺兼容等特点，在微测辐射热计、太阳能电池、医疗仪器等......
本文采用自制的等离子体化学气相沉积多功能系统,分别使用电感耦合等离子体源和脉冲辉光等离子体源制备出了质量较好的氢化非晶硅......
非晶硅（a-Si）与晶态硅的结构差异,使非晶硅具有特殊的光学、电学性质,并且呈现出了巨大的应用前景。但是由于它含有大量的缺陷态,使......
随着半导体材料及其加工工艺的不断发展,半导体器件在军用和民用领域已经得到了广泛的应用。以单晶硅为基础,采用不同的几何结构和......
