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用量子化学ＭＮＤＯ、ＣＮＤＯ／２和ＥＨＭＯ－ＣＯ方法研究高氯酸根（ＣｌＯ＾－４）在聚并吡啶表面的吸附行为以及对聚合物能带结构的影响，结果表明：ＣｌＯ＾－４可吸附在聚并吡啶表面的不同位置，洞位为最稳定吸附点，ＣｌＯ＾－４在大多数位置的吸附使体系的能隙变窄，Ｔ３位减小最多，ＣｌＯ＾－４掺杂聚并吡啶有利于导电性能的提高。