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为了提高SIMOX SOI材料抗总剂量辐照的能力，采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料．辐照前后，用pseudo-MOSFET方法测试样品的ID-VG特性曲线．结果表明，合适的硅离子注入工艺能有效提高材料抗总剂量辐照的能力．
Si离子注入对SIMOX SOI材料抗总剂量辐照性能的影响
【摘 要】
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为了提高SIMOX SOI材料抗总剂量辐照的能力，采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料．辐照前后，用pseudo-MOSFET方法测试样品的ID-VG特性曲线．结果表明，合适的硅离子注入
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2007年3期
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