【摘 要】
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当生长ε相的硒化镓单晶时,组分挥发和固液界面震荡严重损坏晶体的结晶质量。利用改进垂直布里奇曼法生长出φ19 mm×65 mm硒化镓单晶。X射线粉末衍射仪(XRD)和傅立叶红外光
【机 构】
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中国科学院安徽光学精密机械研究所,
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当生长ε相的硒化镓单晶时,组分挥发和固液界面震荡严重损坏晶体的结晶质量。利用改进垂直布里奇曼法生长出φ19 mm×65 mm硒化镓单晶。X射线粉末衍射仪(XRD)和傅立叶红外光谱仪(FT-IR)分别用于测量晶体的结晶度和光学性质。红外测试表明,硒化镓晶体透过波谱较宽(0.65~16μm)和吸收系数较低(<0.3 cm-1)。
When the growth of ε-phase gallium arsenide crystal, the component volatility and solid-liquid interface vibration seriously damaged the crystal quality of the crystal. The φ 19 mm × 65 mm single crystal of gallium selenide was grown by the modified vertical Bridgman method. X-ray powder diffraction (XRD) and Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR) were used to measure the crystallinity and optical properties of the crystals, respectively. Infrared tests show that the Gallium Selenide crystal has a wide transmission spectrum (0.65 ~ 16μm) and a low absorption coefficient (<0.3 cm-1).
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