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近年来硅发光已成为理论和材料研究的一个新热点，ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２多量子阱材料就是人们研制出的一种新的量子结构。有关理论表明，ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２多量子阱中硅层的电子和空穴都受到很强的量子限制效应，硅层能带有可能由体硅的间接带隙转变为准直接带隙，该量子阱材料有可能具有较强的发光特性。
a—Si／SiO2多量子阱材料光致发光特性
【摘 要】
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近年来硅发光已成为理论和材料研究的一个新热点，ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２多量子阱材料就是人们研制出的一种新的量子结构。有关理论表明，ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２多量子阱中硅层的电子和空穴都受到很强的量子限制效应，硅层能带
【机 构】
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华侨大学电气技术系
【出 处】
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华侨大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1999年3期
【基金项目】
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国家自然科学重点课题基金
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