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讨论了内场限环结构对ＬＤＭＯＳＴ耐压的影响，采用直接积分的方法推导出内场限环表面参杂浓度的精确优化公式。同时，分析了内场限环ＬＤＭＯＳＴ的优化的耐压。计算结果与二维数值模拟结果符合得较好。
内场限环结构横向MOS晶体管的优化分析
【摘 要】
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讨论了内场限环结构对ＬＤＭＯＳＴ耐压的影响，采用直接积分的方法推导出内场限环表面参杂浓度的精确优化公式。同时，分析了内场限环ＬＤＭＯＳＴ的优化的耐压。计算结果与二维数值模拟结果符合得较好。
【机 构】
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西安交通大学
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1997年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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