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用磁控射频溅射法制备了ＮｉＦｅ／Ｃｕ／Ｃｏ２多层膜；研究了薄膜的磁特性和磁电阻特性与中间层Ｃｕ厚度的关系，在适当的Ｃｕ厚度下，制备出了具有很好自旋阀巨磁阻效应的多层膜。研究表明，在弱磁场下，薄膜的磁电阻回线的斜率与原来的磁化过程有关，因此该薄膜材料可以用于巨磁电阻存储器中。
Cu层厚度对NiFe／Cu／Co的巨磁电阻效应影响
【摘 要】
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用磁控射频溅射法制备了ＮｉＦｅ／Ｃｕ／Ｃｏ２多层膜；研究了薄膜的磁特性和磁电阻特性与中间层Ｃｕ厚度的关系，在适当的Ｃｕ厚度下，制备出了具有很好自旋阀巨磁阻效应的多层膜。研究表明，在弱磁场下，薄膜的磁电
【机 构】
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华中理工大学电子科学与技术系
【出 处】
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华中理工大学学报
【发表日期】
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1999年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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