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以钨硅混合粉体为原料,通过真空煅烧制备钨硅合金块体,再经破碎、烧结致密化后成功制备出符合半导体使用要求的钨硅靶材.研究了煅烧温度和保温时间对合金块体的物相成分、显微结构、氧含量和碳含量(质量分数)的影响.结果表明,通过高温煅烧合金化可以显著降低材料的氧含量和碳含量,煅烧温度对氧元素的脱除具有重要的影响.最佳制备工艺为1250℃煅烧5 h,在该条件下钨硅合金中氧的质量分数可由0.3000％降至0.0121％,材料中的单质钨完全转化为钨硅合金相.