【摘 要】
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[本刊讯 ] 宽能带隙ＳｉＣ属于第三代半导体材料。ＳｉＣ器件具有比硅器件或ＧａＡｓ器件更为突出的优点 ,诸如更高工作频率 ,更大的功率 ,更高的工作温度 ,更耐辐照。ＳｉＣ外延材料可以在硅衬底上生
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[本刊讯 ] 宽能带隙ＳｉＣ属于第三代半导体材料。ＳｉＣ器件具有比硅器件或ＧａＡｓ器件更为突出的优点 ,诸如更高工作频率 ,更大的功率 ,更高的工作温度 ,更耐辐照。ＳｉＣ外延材料可以在硅衬底上生长 ,其优点是硅衬底的价格低廉 ,衬底尺寸大 (ＳｉＣ单晶一般仅为5 0ｍｍ
[News] Wide band gap SiC belongs to the third generation semiconductor materials. SiC devices have more advantages than silicon or GaAs devices, such as higher operating frequency, greater power, higher operating temperature and more radiation resistance. SiC epitaxial material can be grown on a silicon substrate, which has the advantage of low cost silicon substrate, large substrate size (SiC single crystal is generally only 50mm
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