论文部分内容阅读
提出有n埋层的横向变掺杂双RESURF新结构高压LDMOS器件．该结构器件与常规LDMOS相比，采用了相对较薄的外延层，使之与标准CMOS工艺的兼容性得到了改善．基于二维器件仿真软件MEDICI分析了n埋层的浓度、长度和p^-降场层的杂质浓度分布对器件耐压的影响，并进行了器件和工艺的优化设计．在国内工艺生产线成功地研制出1200V高压LDMOS，并已用于1200V功率集成电路中．