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采用提拉法生长了Cd:PbWO4晶体,最佳生长工艺参数:液面上和液面下轴向温度梯度分别为40-50℃/cm和17-25℃/cm,生长速度2-3mm/h,转速为25-30r/min,以这一条件生长晶体可克服液流转换,避免由此引起的缺陷。Cd:PbWO4的透过率明显高于各类型未掺杂PbWO4晶体,测得Cd:PbWO4的发光效率为21.2p.e/MeV,而高PbWO4为10.5p.e/MeV,分析纯退火