C/C复合材料表面改性薄膜的制备及摩擦磨损性能研究

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采用先驱体转化法在C/C复合材料基底表面制备了厚度为3~5μm的SiC薄膜和Si3N4薄膜;用球-盘对磨的方式测试了C/C复合材料基底、SiC薄膜和Si3N4薄膜在干态下的摩擦磨损性能。结果表明,制备的SiC薄膜和Si3N4薄膜表面结构均匀致密,无明显缺陷。C/C复合材料基底的平均摩擦系数为0.17,磨损率为1.93×10^-4 mm^3·N^-1·m^-1;SiC薄膜的平均摩擦系数为0.13,磨损率为0.78×10^-4 mm^3·N^-1·m
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ue*M#’#dkB4##8#”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:(100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技