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用光致发光谱（PL）方法研究不同温度下Zn1-xMnxSe中Mn^++内部3d壳层电子^4T1(^4G)→^6A1(^6S)跃迁的发光特性。实验结果表明，随着温度的升高，Zn1-xMnxSe(x=0.11,0.17)的发光谱的发光峰位置产生蓝移，这一变化规律主要是由于温度升高引起晶格膨胀，从而削弱配位场效应所造成的。