半磁半导体相关论文
稀释磁性半导体(DMS),或半磁半导体(SMSC)是一类新型的半导体材料。它是以Ⅱ—Ⅵ族、Ⅳ—Ⅵ族、Ⅱ—Ⅴ族或Ⅲ—Ⅴ族化合物为基体,......
回顾了Ⅱ－Ⅵ族半导体材料的研究状况．结合国际上的最新研究动态，总结出Ⅱ－Ⅵ族半导体材料研究的主要方向：（１）ｐ型掺杂研究；（２）ｐ型Ⅱ－Ⅵ族半导体的欧......
Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ富碲溶液的平衡蒸汽压是设计优化生长装置和获得最佳生长条件所不可缺少的．本文用缔合规则溶液（ＲＡＳ）模型估算了Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ富碲溶液的平衡蒸汽压，并且......
采用双自旋－轨道耦合模型和分子轨道研究了Ｃｏ２＋离子在Ⅱ－Ⅵ半磁半导体ＺｎＳ和ＣｄＴｅ中的ＥＰＲｇ因子．计算表明，配体Ｔｅ有大的ＳＯ耦合作用和强的共价性，其对ｇ因子有较大......
The transverse magnetoresistance in semimagaetic semiconductor Hg1-x MnxTe has been studied with the aid of the Vander ......
The absorption spectra of ternary mixed crystal Zn0.97Co0.03.S SMSC have been measured by using a Fourier transform spec......
Infrared measurements have been performed on semimagnetic semiconductor HgSe:Fe with concentrations of iron from 2 ×101......
半磁半导体是一种将磁性元素掺入半导体后生成的新材料,国际上自80年代开始受到重视.因它将物质的磁性与半导体性质结合起来,使两......
本文首次报道半磁半导体Zn_(0.97)Co_(0.03)S和Zn_(0.95)Co_(0.05)Se中铁杂质的红外吸收光谱.对Zn_(0.97)Co_(0.03)S:Fe,实验发现......
在９０～３００Ｋ温度范围测量和研究了组分为０．２≤ｘ≤０．６的稀磁半导体Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ的法拉第旋转随入射光子能量和组分的变化．利用单振子模型获得了激子能量与组分的关......
本文采用强场图像处理三角对称晶场d2，d8电子组态的完全能量哈密顿矩阵元(45×45)，并且考虑了共价效应的影响。采用了分子轨道方法，计......
通过离子注入技术制备出GaMnN三元磁性半导体材料。Raman光谱,X射线衍射和光致发光谱(PL)揭示了Mn在材料中的晶体结构与电子结构。......
用Ｍｕｌｌｉｎｓ和Ｓｅｋｅｒｋａ的线性动力学理论定性探讨了Ｔｅ溶液生长半磁半导体Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ时固－液界面的稳定性，并在自行设计的旋转式液相外延装置中，用Ｃｄｔｅ作籽晶，利用失稳小平......
用分子轨道理论推导了3d^3离子在立方晶体场中的哈密顿矩阵,并计算了V^2＋在ZnS中的吸收光谱.与其他近似方法相比较,该计算结果与实......
作者用热壁外延方法在(100)GaAs衬底上生长Zn_(1-x)Mn_xSe拉半磁半导体薄膜,并用X射线衍射(XRD)、喇曼散射、俄歇电子能谱(AES)等......
测量了Ｔｅ溶液生长半尖半导体Ｃｄ１－ｘＭｎｓＴｅ的导电类型、电阻率、霍尔迁移率和光致发光，测定结果表明，Ｔｅ溶注人生长Ｃｄ１－ｘＭｎｓＴｅ晶体质量和稳定性均优于布里奇曼长晶......
用光致发光谱（PL）方法研究不同温度下Zn1-xMnxSe中Mn^++内部3d壳层电子^4T1(^4G)→^6A1(^6S)跃迁的发光特性。实验结果表明，随着温度......
本文报道用提拉法测量Hg_(1-x)Mn_xTe单晶磁化强度的实验结果.在低温1.5K-30K范图内,磁场强度为0-7万高斯下,测量了不同组分x=0.06......
利用低温分子束外延技术(LT-MBE)制备的GaMnAs是一种新型的半磁半导体材料(DMS),它兼有磁性材料和半导体化合物的特点.系统地介绍......
在８０Ｋ－３５０Ｋ温度范围内测量研究了组分ｘ＝０．１，０．２，０．３，０．４，０．４５，０．５，０．６，０．７的Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ系列样品的法拉第旋转随入射光子能量、组分和温度的变化规律，用单振子模型拟合实验结果，给出激子能量......
测量了半磁半导体Cd_(1x)Mn_xTe单晶的巨大法拉第旋转效应,并研究了Cd_(1-x)Mn_xTe法拉第旋转随组分x及温度的变化规律。局域的Mn~......
本文测量了Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳ在不同Ｍｎ浓度（０．００１＜Ｘ＜０．５）下的发射普和衰减曲线，并且用Ｙｏｋｏｔａ和Ｔａｎｉｍｏｔｏ模型进行了分析。在对＾４Ｔ１衰曲线进行拟合时发现衰减曲线是两种不驰豫过程之和：（１）孤立......
本文采用一种适用于共价晶体的含双共价因子（Ｎｔ≠Ｎｅ）的能量矩阵计算方法，研究了Ｃｏ＾２＋离子在ＨｇＳ中的光学吸收谱，并对结果进行了讨论。研究结果表明，对......
Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ富磅溶液的平衡蒸汽压是设计优化生长装置和获得最佳生长条件所不可缺少的，本文用缔合规则模型估算了Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ富碲溶液的平衡蒸汽压，并且和实......
本文在强场图象下推导了３ｄ＾４／３ｄ＾６离子在三角晶场中包括自旋－轨道相互作用的哈密顿矩阵公式，采用双ＳＯ轨道模型计算了Ｆｅ＾２＋在Ⅱ－Ⅵ半磁半导体ＣｄＴｅ和ＣｄＳｅ中的基态......
上海技术物理研究所,为了加强红外物理的基础研究,于1982年集中了部分优秀科研人员,筹集了一批重要仪器设备,建立起红外物理研究室......
在半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe中实现了不需改变施加磁场方向的新型磁光开关效应,该效应是由Cd_(1-x)Mn_xTe的巨大法拉弟效应和磁光......
采用金刚石对顶砧高压装置测量了半磁半导体Cd_(0.95)Fe_(0.05)Te光吸收边的压力效应,得到其一级和二级压力系数分别为α=8.2×......
在12K和300K下测量了半磁半导体Zn_(0.095)Co_(0.05)S和Zn_(0.97)Ni_(0.03)S的吸收光谱,分别发现3个新的吸收峰。根据晶体场理论和......
在非磁半导体中掺入微量的磁性原子会改变半导体的某些性质，使其呈现出一定的磁性，从而形成稀磁半导体，也称作半磁半导体(DMS)。其中......
3d3(Cr3+,V2+)和3d7(Co2+,Ni3+)离子是比较活跃的过渡金属离子,在谱学研究中扮演着重要的角色。3d3和3d7离子掺入不同的物质中常表......
