论文部分内容阅读
娱乐无疆界
【出 处】
:
时代影视
【发表日期】
:
2003年18期
其他文献
本文采用MBE技术生长应变自组装InAs/GaAs量子点微结构材料,并用量子点材料作有源层制备出激光二极管.研究了材料的光致发光与器件的电致发光特性.条宽100μm腔长为1.6mm,腔
纵观历代中医人才培养模式,都有其优劣和可取之处,对中医人才培养传承做出了贡献.随着主流医学的冲击、科技的发展、网络的普及,中医教育既面临挑战,又面临机遇.传统培养模式
期刊
本文用稳态和瞬态光谱研究了Ga(As)Sb/GaAs量子阱的能带结构及其相应的发光性质,并报道GaSb/GaAs量子点的自组织生长过程和退火特性.
本文提出了一种改善集成器件中各部分之间耦合效率的新结构,通过SEM照片观察多种情况下的外延形貌,研究了不同的刻蚀方法和工艺步骤对对接外延质量的影响.实验结果表明,采用
SiC材料可以制作高频高温高压大电流大功率抗辐射的器件,成为第三代最具代表性的半导体材料之一,本文综述了碳化硅电子材料与器件近些年来国内外的发展和它的基础问题.
本文讨论了掺杂元素及其浓度的变化对磷化铟(InP)晶格常数带来的影响,并说明这种变化实际意义.研究结果表明:InP晶格大小变化的主要原因是由于掺杂元素的四面体共价半径不同
在这篇文章中,我们提出了在传统双势垒结构的SPACER层中增加一层δ掺杂的RTD结构,并成功生长出了峰谷比为2.8谷值电流密度为11.8kA/cm性能相对优良的RTD,并发现在一定范围内,