双势垒结构相关论文
针对共振隧穿二极管近红外探测器焦平面阵列本征电流较大的问题,提出了一种通过对共振隧穿二极管近红外探测器双势垒结构(DBS)进行......
目前,硅基浮栅存储器的尺寸随着集成电路技术的发展而不断缩小,当半导体存储器的隧穿层厚度与电子相干波波长相同时,器件会失去非......
理论研究了非对称双势垒结构中光学声子发射率和光学声子辅助隧穿电流.对AlxGa1-xAs/GaAs/AlyGa-yAs结构作了数值计算,得到对声子......
用紧束缚能带方法计算双势垒结构GaAs／Ga1－xAlxAs／GaAs和InAs／GaSb／AlSb的电子、空穴电流密度，对计算结果进行分析，并对其结果在工艺设计......
在PECVD系统中，用layerbylayer的方法原位制备了a—SiNx／nc—Si／a—SiNx双势垒结构样品。AFM测量结果显示nc—Si晶拉密度约为1．2×......
分析了纳米电子器件中散粒噪声的散射理论，通过对电导问题和散射问题相似性的讨论，得到一种基于双势垒结构纳米器件的散粒噪声抑制的......
利用Landauer—Buttiker散射理论和传递矩阵方法研究了单层石墨烯双势垒结构中的隧穿几率和电导。计算结果表明：即使存在克莱因隧穿......
利用等离子增强化学气相沉积（PECVD）技术,采用NH_3等离子体预氮化法淀积α-SiN_x介质膜,同时结合layer by layer生长nc-Si的方法一次......
量子隧穿是一个很古老的课题,同时这也是量子力学中最为神奇的现象之一,1931年Condon首次提出了“粒子穿过势垒需要多长时间?”的......
为了提高量子环红外探测器（Quantum Ring Infrared Photodetector,QRIP）的灵敏度,抑制QRIP的暗电流,提出了一种具有倍增区、量子环吸......
