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基于短沟道MOS器件的过量因子随沟道长度降低缓慢增加的特征，研究了短沟道下共栅结构宽带低噪声放大器的噪声性能，并在0．18μm CMOS工艺下设计实现了共栅结构的宽带低噪声放大器。流片测试结果表明，在1．8V电源电压、4．1mA工作电流下，该系统获得6．1dB的最小噪声系数；综合性能与长沟道下相近，符合理论分析和设计要求。