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期刊论文
阳极短路GTO制造工艺的研究
阳极短路GTO制造工艺的研究
来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tcsr888
【摘 要】
:
阳极短路型门极可关断(GTO)晶闸管制造技术的关键工艺是短路区的制作。实验证明,短路区的制作可以用先选择性扩散N^+层,然后再扩散镓的方法来实现。通过扩散工艺的精确控制,以调节短路电
【作 者】
:
聂代祚
【机 构】
:
西安理工大学
【出 处】
:
半导体技术
【发表日期】
:
1996年2期
【关键词】
:
GTO
短路区
选择扩散
晶闸管
制造工艺
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阳极短路型门极可关断(GTO)晶闸管制造技术的关键工艺是短路区的制作。实验证明,短路区的制作可以用先选择性扩散N^+层,然后再扩散镓的方法来实现。通过扩散工艺的精确控制,以调节短路电阻,从而获得电特性的优化。
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