【摘 要】
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研究了碳杂质对p-GaN的补偿作用.采用金属有机化学气相沉积法生长GaN∶Mg材料,实验发现,当生长温度从1000℃提高到1050℃时,p-GaN的电阻率减小,空穴浓度增大.通过光致发光测试,发现随着生长温度的升高,尽管p-GaN的电阻率减小,但是Mg杂质的自补偿效应增强.进一步结合二次离子质谱测试,发现高温生长的p-GaN材料中碳杂质浓度更低,碳杂质在p-GaN中可能形成施主,从而补偿受主,增大p-GaN的电阻率.因此,在p-GaN中,碳杂质补偿相对于Mg杂质自补偿具有更重要的作用,抑制碳杂质对p型掺杂
【机 构】
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中国农业大学理学院应用物理系,北京100083;中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京100083
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研究了碳杂质对p-GaN的补偿作用.采用金属有机化学气相沉积法生长GaN∶Mg材料,实验发现,当生长温度从1000℃提高到1050℃时,p-GaN的电阻率减小,空穴浓度增大.通过光致发光测试,发现随着生长温度的升高,尽管p-GaN的电阻率减小,但是Mg杂质的自补偿效应增强.进一步结合二次离子质谱测试,发现高温生长的p-GaN材料中碳杂质浓度更低,碳杂质在p-GaN中可能形成施主,从而补偿受主,增大p-GaN的电阻率.因此,在p-GaN中,碳杂质补偿相对于Mg杂质自补偿具有更重要的作用,抑制碳杂质对p型掺杂p-GaN非常重要.
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