碳杂质相关论文
三氯氢硅的合成过程中会引入碳杂质,在多晶硅和作为硅源的硅外延片生产中很容易发生沉积,形成晶格点缺陷,从而影响半导体材料的性......
针对甲烷催化裂解法自制多壁碳纳米管(MWCNTs)中的催化剂残留(灰分)和碳杂质,研究常温HCl或NaOH溶液溶灰与高温空气氧化或H2甲烷化......
含碳杂质的LaNi5在吸放氢过程中容易产生气体杂质CH4,进而会影响H2的纯度.为认识LaNi5中的固溶碳杂质的氢化行为,采用第一性原理首......
硅衬底上AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMTs)在高压功率开关等器件有着广泛的应用前景.由于功率开关器件工作状态是在高压......
基于氮化镓(GaN)材料的激光器、紫外探测器及HEMT器件都是当今世界的研究热点,而高质量的GaN材料生长技术、优化的器件工艺和器件......
研究了碳杂质对p-GaN的补偿作用.采用金属有机化学气相沉积法生长GaN∶Mg材料,实验发现,当生长温度从1000℃提高到1050℃时,p-GaN......
使用自主研发的钨系统中频感应加热炉对AlN粉料进行了烧结提纯处理实验,并用XRD、SEM、IGA和GDMS等表征方法分析了烧结后的样品。......
AlGaN/GaN HEMT良好的功率特性虽然被大量报导,但其电流崩塌现象仍是一个令人困扰的问题,作者通过实验证明了导致其电流崩塌的一个......
采用真空液相烧结制备了不同碳氧杂质含量的93W-5Ni-2Fe合金试样,研究了碳氧杂质含量对合金冲击性能的影响。结果表明,压坯在真空......
本文简述了多晶硅生产过程中碳杂质的主要来源：甲烷和甲基氯硅烷，对合成炉、冷氢化两种工艺生成甲基氯硅烷进行了对比，并提出了生产中......
AlGaN/GaN HEMT良好的功率特性虽然被大量报导,但其电流崩塌现象仍是一个令人困扰的问题,作者通过实验证明了导致其电流崩塌的一个......
Experimental results showed that energetic ion induced phase change in a solid could be achieved not only by irradiation......
AlGaN/GaN HEMT良好的功率特性虽然被大量报导,但其电流崩塌现象仍是一个令人困扰的问题,作者通过实验证明了导致其电流崩塌的一个......
本实验主要采用树脂除油的方式,对反萃液钽液进行吸附除油,降低钽液中的有机含量,从而制取低碳氟钽酸钾晶体.实验表明,采用CN-01型......
多晶硅产品主要应用于半导体材料的生产,作为重要的高纯原材料,其自身的碳含量控制至关重要,目前后续加工中无法有效的去除碳杂质,......
晶体硅中的杂质会显著的影响各种硅基器件的性能,本文分析了直拉单晶炉中碳、氧杂质的引入机制,研究了减少碳、氧杂质的措施,并且......
近十年来,掺氮直拉硅片由于具有更高的机械强度、更好的内吸杂性能以及更易消除空洞型缺陷等优点而日益成为集成电路广泛使用的高......
学位
本文研究了碳杂质对掺氮直拉硅单晶中氮氧复合体浅热施主形成的影响。电阻率测试和低温傅里叶远红外吸收光谱研究表明：碳杂质显著降......
本文综述了硅材料中吸杂技术和吸杂机理,硅中氧碳氮杂质和氧沉淀对吸杂的影响和作用等研究的新进展,并就硅材料吸杂中存在的问题作......
由于SiC在电子半导体方面有较大应用,纯度要求就成为主要限制,尤其是碳杂质的影响。本实验对SiC微粉首先经过不同温度的煅烧测定烧......
为了消化吸收近年来中国新材料研究进展、加快培育中国材料领域的青年人才,自“2018新材料国际发展趋势高层论坛”召开以来,由材料......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
用常规生产工艺制备烧结钕铁硼磁体,应用碳硫含量分析仪进行碳元素检测,分析了生产过程中包括原材料、熔炼、氢爆碎、气流磨制粉(......
本文介绍了用密度泛函理论计算方法和高温显微镜(Hot Stage Microscope)系统研究碳杂质对铀氢化腐蚀行为影响结果。利用密度泛函理......
