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大规模轧了 nanowires 被 ammoniating Ga2O3 电影成功地在在 850 点在 Si (111 ) 底层上扔的 Nb 层上综合。X 光检查衍射(XRD ) ，扫描电子显微镜学(SEM ) ， field-emssion 传播电子显微镜(FETEM ) ， Fourier 转变了红外线的光谱(FTIR ) 被用来描绘结构、词法的性质同样综合轧了 nanowires。结果表明 nanowires 是纯的六角形与在 50 nm 和 100 nm 之间的一段大约几微米和一条直径轧了 wurt