【摘 要】
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讨论了 SIT(静电感应晶体管 )的基本电性能参数以及它们之间的关系 .通过这些电参数对器件 I- V特性的影响 ,系统地研究了为改善器件电性能应对各参数进行怎样的调控 ,以便为
【机 构】
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讨论了 SIT(静电感应晶体管 )的基本电性能参数以及它们之间的关系 .通过这些电参数对器件 I- V特性的影响 ,系统地研究了为改善器件电性能应对各参数进行怎样的调控 ,以便为在SIT的制造中调整好器件的结构、工艺以及材料等制造参数提供理论依据
The basic electrical performance parameters of SIT and the relationship between them are discussed.The influence of these electrical parameters on the I-V characteristics of the device is systematically investigated in order to improve the electrical performance of the device, In order to provide a theoretical basis for the manufacturing parameters of SIT, such as the structure, process and material of the device
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