硅基AIGaN-MOS功率器件热阻压降的测试

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研究了硅基AIGaN-MOS功率器件的热阻和压降这二个电热参数,提出了参数的测试原理和方法,给出了一种测试设备的电原理图。成果来自于安徽省省级重点科技攻关项目'硅基AlGaN/GaN-HEMTs功率新器件研发'。
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