【摘 要】
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先进相移掩模（PSM）制造是极大规模集成电路生产中的关键工艺之一,当设计尺寸（CD）为0.18μm时,就必须在掩模关键层采用OPC（光学邻近校正）和PSM（相移技术）,一般二元掩模由于图形边缘散
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先进相移掩模（PSM）制造是极大规模集成电路生产中的关键工艺之一,当设计尺寸（CD）为0.18μm时,就必须在掩模关键层采用OPC（光学邻近校正）和PSM（相移技术）,一般二元掩模由于图形边缘散射会降低整体的对比度,无法得到所需要的图形。通过相位移掩模（PSM）技术可以显著改善图形的对比度,提高图形分辨率。相移掩模是在一般二元掩模中增加了一层相移材料,通过数据处理、电子束曝光、制作二次曝光对准用的可识别标记、二次曝光、显影、刻蚀,并对相移、缺陷等进行分析和检测,确保能达到设计要求。
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