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结合垂直腔面发射激光器的制备,研究了AlAs选择性氧化工艺中氧化炉温、氮气流量、水温等条件和AlAs层的横向氧化速率之间的关系,并得到了可精确控制氧化过程的工艺条件,在优化的工艺条件下运用湿氮氧化制备出InGaAs/GaAs垂直腔面发射激光器,实现了器件的室温脉冲激射.
基于AIAs氧化法研制的垂直腔面发射激光器
【摘 要】
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结合垂直腔面发射激光器的制备,研究了AlAs选择性氧化工艺中氧化炉温、氮气流量、水温等条件和AlAs层的横向氧化速率之间的关系,并得到了可精确控制氧化过程的工艺条件,在优
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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2004年2期
【基金项目】
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吉林省资助项目，国家自然科学基金
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