分子动力学模拟Gd原子在Cu(110)表面的扩散过程

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为了分析Gd吸附原子在Cu(110)表面的扩散机理,用分子动力学对该扩散过程进行模拟.模拟结果表明在[1 1 0]方向Gd原子通过跳跃机理扩散,而且多步跳跃频率很高.而在[0 0 1]方向则通过交换机理扩散.吸附原子在[1 1 0]方向的扩散能力要比[0 0 1]方向强.通过对扩散频率的拟合,发现两种扩散机理都符合Arrhenius公式,从而确定了跳跃机理的扩散势垒为0.097eV,交换机理的扩散势垒为0.33eV.另外还用能量弛豫的方法确定了跳跃机理的扩散势垒.
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