【摘 要】
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目的探讨脉冲电场不可逆性电穿孔处理HeLa细胞时,发生细胞膜电穿孔、细胞凋亡、细胞坏死与脉冲电场参数的关系。方法采用固定脉宽100μs、频率1Hz、脉冲数8个,电场强度由250V
【机 构】
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重庆医科大学附属第二医院妇产科,重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室,
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目的探讨脉冲电场不可逆性电穿孔处理HeLa细胞时,发生细胞膜电穿孔、细胞凋亡、细胞坏死与脉冲电场参数的关系。方法采用固定脉宽100μs、频率1Hz、脉冲数8个,电场强度由250V/cm逐级升至2500V/cm的脉冲电场处理HeLa细胞。利用PI示踪、流式细胞术检测研究HeLa细胞膜发生穿孔的阈值电场剂量;CCK-8(cellcountingkit-8,CCK-8)法检测脉冲电场处理HeLa细胞的量效关系;Annexin Vkit染色、流式细胞术检测各组细胞的凋亡与坏死。结果 HeLa细胞膜发生可逆性穿孔的阈值场强为750V/cm,发生凋亡的阈值电压为1250～1500V/cm,坏死的阈值为1750V/cm。结论不可逆性电穿孔杀灭HeLa细胞时细胞凋亡也发挥着重要作用,而且导致凋亡与坏死的电场范围相互重叠。
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