【摘 要】
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本文对不同偏置下的NPN输入双极运算放大器LM108分别在1.8 MeV和1 MeV两种电子能量下、不同束流电子辐照环境中的损伤特性及变化规律进行了研究,分析了不同偏置状态下其辐照
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所,新疆电子信息材料与器件重点实验室,中国科学院大学
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本文对不同偏置下的NPN输入双极运算放大器LM108分别在1.8 MeV和1 MeV两种电子能量下、不同束流电子辐照环境中的损伤特性及变化规律进行了研究,分析了不同偏置状态下其辐照敏感参数在辐照后三种温度（室温,100？C,125？C）下随时间变化的关系,讨论了引起电参数失效的机理,并且分析了器件在室温和高温的退火效应以讨论引起器件电参数失效的机理.结果表明,1.8 MeV和1 MeV 电子对运算放大器LM108主要产生电离损伤,相同束流下1.8 MeV电子造成的损伤比1 MeV 电子更大,相同能量下0.
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