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采用倾斜式生长的方法，在本底真空为3×10-4 Pa，生长率为0.2 nm·s-1的条件下，通过改变衬底的法线方向与入射粒子流的夹角α，在ITO导电玻璃衬底上制备了ZnS纳米薄膜。在α=80°和85°时，样品的Ｘ射线衍射谱证实了不同倾斜角时所制备薄膜中均有纳米ZnS晶体形成，扫描电子显微镜（SEM）图像显示，所形成的薄膜均呈现出了柱状结构，并且倾斜角为85°时所得到的纳米柱直径大于80°时所得结果;在α=0°时，相应测量结果表明，虽然在