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简介了减薄漂移区多沟道SOI LIGBT结构雏形，根据先进VLSI工艺调研结果讨论了减薄漂移区新型微结构的可实现性。提出了可能实现的三种表面微结构及其工艺实现方法，指出了这种器件雏形结构存在的几个主要问题，有针对性地探讨了改进措施。并提出了面向智能Power ICs应用的同心圆环源漏互包SOI LIGBT结构。及其迄待研究的主要问题与部分解决措施。