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为提高半导体超辐射器件的输出功率，在原有的将超辐射发光管(SLD)与半导体光放大器(SOA)单片集成的基础上，将器件电流注入区中心轴线倾斜6°，制得了1.5 μm倾斜结构的InGaAsP/InP集成超辐射光源。发现这种新型结构的单片集成器件具有抑制激射的功能。在较低的电流注入下，得到了38 mW的脉冲超辐射输出功率。其光谱宽度(FWHM)和平行、垂直于结平面的远场半宽分别为16 nm，15°和64°。同时，通过对该集成器件特性的研究，发现如何增加SOA部分的入射光功率是提高该集成器件性能的一个十分关键的因素。